PDF查询| 数据列表 | FD6M043N08 |
|---|---|
| 产品相片 | FD6M043N08 |
| 标准包装 | 19 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | Power-SPM™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 65A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.3 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 148nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6180pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | EPM15 |
| 供应商器件封装 | EPM15 |
