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| FCD380N60E [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FCD380N60E [更多] | ON Semiconductor | MOSFET, N-CH, 600V, 10.2A, TO-252-3
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| FCD380N60E [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 600 V 380 mO Surface Mount SuperFET II Easy Drive Mosfet -TO-252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| FCD380N60E [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| FCD380N60E | Fairchild Semiconductor | MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） D-Pak 型号：FCD380N60E 仓库库存编号：FCD380N60ECT-ND 别名：FCD380N60ECT <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | FCD380N60E |
|---|---|
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperFETII® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 380 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1770pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 106W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD380N60ETR |
