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Everspin Technologies - MR2A08ACYS35R - NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM - MR2A08ACYS35R
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MR2A08ACYS35R
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Everspin Technologies

IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
MR2A08ACYS35
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Everspin Technologies

NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

RoHS: Compliant

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MR2A08ACYS35R
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Everspin Technologies

NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

RoHS: Compliant

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Everspin Technologies Inc. - MR2A08ACYS35R - IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP
Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP

详细描述:MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 35ns 44-TSOP2

型号:MR2A08ACYS35R
仓库库存编号:MR2A08ACYS35R-ND

无铅
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MR2A08ACYS35R|Everspin Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MR2A08ACYS35R
制造商型号: MR2A08ACYS35R
制造商: Everspin Technologies
描述: NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Everspin Technologies
RoHS: 符合
数据总线宽度:8 bit
存储容量:4 Mbit
组织:512 K x 8
接口类型:Parallel
访问时间:35 ns
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:3 V
工作电流:50 mA
最大工作温度:+ 85 C
最小工作温度:- 40 C
封装 / 箱体:TSOP-44
封装:Reel
安装风格:SMD/SMT

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