PDF查询| 数据列表 | EPC1012 |
|---|---|
| 产品相片 | EPC1012 |
| 应用说明 | Second Generation eGaN® FETs Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 产品变化通告 | EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011 |
| 视频文件 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey |
| RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 5A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.9nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 110pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-LGA |
| 供应商器件封装 | 4-LGA（1.7x0.9） |
| 产品目录页面 | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 917-1006-2 |
