PDF查询| 典型关断延迟时间 | 20.2 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.5 nC @ -4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 46.1 pF @ 10 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 0.65mm | |
| 封装类型 | X2-DFN1006 | |
| 尺寸 | 1.05 x 0.65 x 0.35mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.95 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | -20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | -700 mA | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 高度 | 0.35mm |
