PDF查询| 数据列表 | ZXTDE4M832TA |
|---|---|
| 产品相片 | ZXTDE4M832T |
| 其它图纸 | MLP Side MLP 3x2 Bottom |
| PCN Obsolescence | MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3.5A，2.5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V，70V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 325mV @ 300mA，3.5A / 260mV @ 200mA，1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 25nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 频率 - 跃迁 | 160MHz，180MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3x2） |
| 产品目录页面 | 1470 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXTDE4M832TATR |
