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Diodes Inc - ZXMS6005DT8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V 1.8A SM8 - ZXMS6005DT8TA
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ZXMS6005DT8TA|Diodes Inc
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ZXMS6005DT8TA
制造商型号： ZXMS6005DT8TA
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V 1.8A SM8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V 1.8A SM8
  • 晶体管极性: 双N沟道
  • 电流, Id 连续: 1.8A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（??）: 0.15ohm
  • 电压 @ Rds测量: 5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 1.16W
  • 工作温度最小值: -40°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-223
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 1.16W
  • 工作温度范围: -40°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 60V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 5A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.17ohm

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