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| ZXMN6A11GTC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Chnl UMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223 型号：ZXMN6A11GTC 仓库库存编号：ZXMN6A11GTC-ND | 无铅 |
PDF查询| 数据列表 | ZXMN6A11G SERIES |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.1A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 330pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
