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Diodes Inc - ZXMN6A11DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N型 60V SO8 - ZXMN6A11DN8TA
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ZXMN6A11DN8TA|Diodes Inc
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ZXMN6A11DN8TA
制造商型号： ZXMN6A11DN8TA
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET 双N型 60V SO8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双N型 60V SO8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 3.2A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（上）: 180mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 2.1W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 功耗, Pd: 2.1W
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管数: 2
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 3.2A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 60V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 60V
  • 电流, Idm 脉冲: 13.7A
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 3.2A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.12ohm
  • 针脚配置: 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
产地： GB United Kingdom

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: ZXMN6A11DN8TA
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