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Diodes Inc - ZXMN10A08E6TC - MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6 - ZXMN10A08E6TC
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ZXMN10A08E6TC|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMN10A08E6TC
制造商型号: ZXMN10A08E6TC
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 ZXMN10A08E6TC
产品相片 SOT-23-6
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)250 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)405pF @ 50V
功率 - 最大值1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6

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