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Diodes Inc - ZXMD63C02X - 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8 - ZXMD63C02X
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ZXMD63C02X|Diodes Inc
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ZXMD63C02X
制造商型号： ZXMD63C02X
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 2.4A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 130mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: MSOP
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: ZXM63C02
  • 功耗, Pd: 1.04W
  • 封装/箱盒: MSOP8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管数: 2
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1: 700mV
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道: 700mV
  • 模块配置: 双
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 2.4A
  • 漏极连续电流, Id P沟道: 1.7A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 20V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -20V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 20V
  • 电压, Vgs Rds N沟道: 4.5V
  • 电压, Vgs Rds P沟道: 4.5V
  • 电流, Idm 脉冲: 19A
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 2.4A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -1.7A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.13ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.27ohm
  • 通态电阻, N沟道 最大: 130mohm
  • 通态电阻, P沟道 最大: 270mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 700mV
产地： GB United Kingdom

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