PDF查询| 数据列表 | ZXMN66P03N8 |
|---|---|
| 产品相片 | SOP-8L |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.25A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 25 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 36nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1979pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.56W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 产品目录页面 | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXM66P03N8TR |
