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Diodes Inc - ZHB6718 - 晶体管阵列 半桥 - ZHB6718
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ZHB6718|Diodes Inc
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ZHB6718
制造商型号： ZHB6718
制造商： Diodes Inc
描述： 晶体管阵列 半桥
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 晶体管阵列 半桥
  • 晶体管极性: NPN/ PNP
  • 电压, Vceo: 20V
  • 过渡频率, ft: 140MHz
  • 功耗, Pd: 2W
  • 集电极直流电流: 2.5A
  • 直流电流增益, hFE: 450
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-223
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: ZHB6718
  • hfe, NPN @ 最小Ic: 300
  • hfe, PNP @ 最小Ic: 300
  • 典型增益带宽, ft: 140MHz
  • 封装/箱盒: SM-8
  • 工作??度范围: -55°C 至 +150°C
  • 总功率, Ptot: 2W
  • 最大连续电流, Ic: 2.5A
  • 最小增益带宽, ft: 100MHz
  • 模块配置: 四
  • 电压, Vcbo: 20V
  • 电流, Ic @ Vce饱和: 1A
  • 电流, Ic @ hfe测量 npn: 100mA
  • 电流, Ic @ hfe测量 pnp: 100mA
  • 电流, Ic hFE: 6mA
  • 电流, Ic 最大: 2.5A
  • 电流, Icm 脉冲: 6A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值: 180
  • 集电极电流, Ic 平均值: 2.5A
  • ??和电压 Vce sat 最高 @ Ic npn型: 150mV
  • 饱和电压 Vce sat 最高 @ Ic pnp型: 200mV
  • 饱和电压, Vce sat 最大: 15mV
  • 饱和电流, Ic: 1A
产地： GB United Kingdom

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