数据列表 | MMBZ5221B - 5259B |
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产品相片 | SOT23 |
其它图纸 | SOT-23 350mW Side SOT-23 350mW Circuit |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 单二极管/齐纳 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
容差 | ±5% |
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 100nA @ 23V |
功率 - 最大值 | 350mW |
阻抗(最大值)(Zzt) | 49 欧姆 |
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
产品目录页面 | 1585 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MMBZ5256B-FDITR |