PDF查询| 数据列表 | DZT658 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 其它图纸 | SOT-223 Package Top SOT-223 Package Side 1 SOT-223 Package Side 2 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 200mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 产品目录页面 | 1575 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DZT658-13-ND DZT65813 DZT658DITR |
