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Diodes Inc - DMP2066UFDE-7 - MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E - DMP2066UFDE7
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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN

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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN

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Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

RoHS: Compliant

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A Automotive 6-Pin DFN EP T/R

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN EP T/R (Alt: DMP2066UFDE-7)

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN EP T/R - Tape and Reel (Alt: DMP2066UFDE-7)

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A Automotive 6-Pin DFN EP T/R

RoHS: Compliant

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A Automotive 6-Pin DFN EP T/R

RoHS: Compliant

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

Single P-Channel 20 V 75 mOhm 14.4 nC 2.03 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6

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DMP2066UFDE-7
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Diodes Incorporated

MOSFET,P Channel,Trans,20V 6.2A DFN6 EP

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DMP2066UFDE-7 Diodes Inc MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E 查看库存、价格及货期
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DiodesZetex - DMP2066UFDE-7 - DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2066UFDE-7, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2020封装

制造商零件编号:
DMP2066UFDE-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5159
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Diodes Incorporated - DMP2066UFDE-7 - MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN

详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)

型号:DMP2066UFDE-7
仓库库存编号:DMP2066UFDE-7DICT-ND
别名:DMP2066UFDE-7DICT <br>

无铅
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Diodes Inc - DMP2066UFDE-7 - 20V 6.2A DFN6 EP Trans P Channel MOSFET|70438113 | ChuangWei Electronics
Diodes Inc
MOSFET, P Channel, Trans, 20V 6.2A DFN6 EP


型号:DMP2066UFDE-7
仓库库存编号:70438113

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DMP2066UFDE-7|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMP2066UFDE-7
制造商型号: DMP2066UFDE-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 DMP2066UFDE
产品相片 DFN2020-6
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.2A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)36 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1537pF @ 10V
功率 - 最大值660mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-DFN2020(2x2)
其它名称DMP2066UFDE-7DITR
DMP2066UFDE7

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