PDF查询| 数据列表 | DMN32D2LFB4 |
|---|---|
| 产品相片 | SBR 3-DFN |
| 其它图纸 | DFN1006H4-3 Side DFN1006H4-3 Bottom |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 300mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.2 欧姆 @ 100mA，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 39pF @ 3V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN32D2LFB47 DMN32D2LFB4DITR |
