数据列表 | DMN3031LSS |
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产品相片 | SOP-8L |
产品目录绘图 | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
PCN Obsolescence | Discrete Family 24/Jul/2013 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 18.5 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 741pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOP |
产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DMN3031LSS13 DMN3031LSSDITR |