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Diodes Inc - DMG4800LFG-7 - MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN - DMG4800LFG7
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DMG4800LFG-7
制造商型号: DMG4800LFG-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 DMG4800LFG
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.44A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)17 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.47nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)798pF @ 10V
功率 - 最大值940mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-DFN3030(3x3)
产品目录页面1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMG4800LFG-7DITR
DMG4800LFG7

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