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Diodes Inc - DMG1026UV - 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563 - DMG1026UV
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DMG1026UV|Diodes Inc
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DMG1026UV
制造商型号: DMG1026UV
制造商: Diodes Inc
描述: 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 410mA
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS(上): 1.2ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 580mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-563
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 60V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 410mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 1.2ohm

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