型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DDTD113EU-7-F [更多] | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DDTD113EU-7-F [更多] | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1K1K RoHS: Compliant | 搜索 |
DDTD113EU-7 [更多] | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1KW 1KW RoHS: Not compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DDTD113EU-7-F [更多] | Diodes Incorporated | Trans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-323 T/R - Tape and Reel (Alt: DDTD113EU-7-F) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
DDTD113EU-7-F [更多] | Diodes Incorporated | Trans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-323 T/R (Alt: DDTD113EU-7-F) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
DDTD113EU-7-F | Diodes Inc | TRANS PREB NPN 200MW R1/2 SC70-3 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323 型号:DDTD113EU-7-F 仓库库存编号:DDTD113EU-7-F-ND | 无铅 |
数据列表 | DDTD(zzzz)U |
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产品相片 | SOT-323 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 1k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 1k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |