PDF查询| 数据列表 | BZX84C2V4S - BZX84C39S |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 |
| 产品目录绘图 | BZX Series 200mW Circuit |
| PCN Design/Specification | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 二极管/齐纳阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 3V |
| 容差 | ±6% |
| 配置 | 2 个独立式 |
| 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 10µA @ 1V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 产品目录页面 | 1585 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BZX84C3V0S-FDITR BZX84C3V0S7F |
