PDF查询| 数据列表 | BC847BVN BC847BV |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-563 |
| 其它图纸 | SOT-563 Package Top |
| PCN Design/Specification | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 产品目录页面 | 1575 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BC847BV7 BC847BVDITR |
