PDF查询| 数据列表 | 2DB1132(P,Q,R) |
|---|---|
| 产品相片 | SOT89-3L |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 82 @ 100mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 频率 - 跃迁 | 190MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
