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Diodes Inc. / Zetex - ZXTP2012GTA - 两极晶体管 - BJT 60V PNP Low Sat - ZXTP2012GTA
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ZXTP2012GTA|Diodes Inc. / Zetex
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ZXTP2012GTA
制造商型号： ZXTP2012GTA
制造商： Diodes Inc. / Zetex
描述： 两极晶体管 - BJT 60V PNP Low Sat
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Diodes Inc.
产品种类:两极晶体管 - BJT
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:PNP
集电极—基极电压 VCBO:- 100 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—射极饱和电压:- 195 mV
最大直流电集电极电流:5.5 A
增益带宽产品fT:120 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 45 at 5 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223
集电极连续电流:- 5.5 A
直流电流增益 hFE 最大值:100
最大功率耗散:3 W
最小工作温度:- 55 C
封装:Reel
工厂包装数量:1000

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