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ZXMHC6A07N8TC
制造商型号： ZXMHC6A07N8TC
制造商： Diodes Inc. / Zetex
描述： MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
技术参考：

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产品信息

制造商:

Diodes Inc.

产品种类:

MOSFET

RoHS:

符合

晶体管极性:

N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:

60 V

漏极连续电流:

1.8 A, - 1.42 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

配置:

H-Bridge

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-8

封装:

Reel

下降时间:

2 ns, 5.8 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值） :

2.3 S, 1.8 S

栅极电荷 Qg:

3.2 nC, 5.1 nC

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

1.36 W

上升时间:

1.4 ns, 2.3 ns

典型关闭延迟时间:

4.9 ns, 13 ns

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