PDF查询| 数据列表 | C2M0080120D |
|---|---|
| 产品相片 | C2M0080120D |
| 应用说明 | SiC MOSFET Isolated Gate Driver |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Z-FET™ |
| 包装 | 散装 |
| FET 类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 98 毫欧 @ 20A， 20V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 49.2nC @ 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 950pF @ 1000V |
| 功率 - 最大值 | 208W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
