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CREE - CMF10120D - 场效应管 MOSFET 碳化硅 N沟道 1200V 24A TO247 - CMF10120D
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CMF10120D|CREE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
CMF10120D
制造商型号： CMF10120D
制造商： CREE
描述： 场效应管 MOSFET 碳化硅 N沟道 1200V 24A TO247
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 碳化硅 N沟道 1200V 24A TO247
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 24A
  • 漏源电压, Vds: 1.2kV
  • 在电阻RDS（上）: 0.16ohm
  • 电压 @ Rds测量: 20V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
  • 功耗, Pd: 152W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 125°C
  • 封装类型: TO-247
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +125°C

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: CMF10120D
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