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CISSOID - CHT-PLA8543C-TO257-T - CHT-PLA8543C 系列 1200 V 10 A 碳化 Mosfet - TO-227 (-55 至 225°C) - CHTPLA8543CTO257T
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CHT-PLA8543C-TO257-T|CISSOID
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CHT-PLA8543C-TO257-T
制造商型号： CHT-PLA8543C-TO257-T
制造商： CISSOID
描述： CHT-PLA8543C 系列 1200 V 10 A 碳化 Mosfet - TO-227 (-55 至 225°C)
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 90 mΩ
  • Qg Gate Charge: 90 C
  • Rated Power Dissipation: 30 W

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