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CEL - NESG7030M04-T2-A - IC RF TRANSISTOR NPN - NESG7030M04T2A
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NESG7030M04-T2-A|CEL
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NESG7030M04-T2-A
制造商型号: NESG7030M04-T2-A
制造商: CEL
描述: IC RF TRANSISTOR NPN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 NESG7030M04
产品相片 M04 PKG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭RF 晶体管 (BJT)
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)4.3V
频率 - 跃迁5.8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益14dB ~ 21dB
功率 - 最大值125mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30mA
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-343F
供应商器件封装M04

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