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CEL - NE850R599A - 射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET - NE850R599A
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NE850R599A
制造商型号： NE850R599A
制造商： CEL
描述： 射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:CEL
产品种类:射频GaAs晶体管
RoHS:否
技术类型:MESFET
频率:7.2 GHz
增益:9.5 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :150 mS
漏源电压 VDS:15 V
闸/源击穿电压:- 12 V
漏极连续电流:430 mA
最大工作温度:+ 130 C
功率耗散:3 W
安装风格:Screw
封装 / 箱体:Outline99
P1dB:26.5 dBm
封装:Bulk

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