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CEL - NE722S01-T1 - 射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET - NE722S01T1
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NE722S01-T1|CEL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NE722S01-T1
制造商型号： NE722S01-T1
制造商： CEL
描述： 射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:CEL
RoHS: 符合
技术类型:MESFET
频率:4 GHz
增益:12 dB
噪声系数:0.9 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :45 mS
漏源电压 VDS:5 V
闸/源击穿电压:- 5 V
漏极连续电流:120 mA
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:250 mW
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-1
P1dB:15 dBm
封装:Reel
工厂包装数量:1000

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