PDF查询| 数据列表 | AON5810(L) |
|---|---|
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7.7A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 18 毫欧 @ 7.7A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13.1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1360pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN-EP（2x5） |
