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Advanced Semiconductor, Inc. - MRF8372LF - 射频双极电源晶体管 RF Transistor - MRF8372LF
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MRF8372LF|Advanced Semiconductor, Inc.
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MRF8372LF
制造商型号： MRF8372LF
制造商： Advanced Semiconductor, Inc.
描述： 射频双极电源晶体管 RF Transistor
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
RoHS: 符合
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
最大工作频率:800 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极连续电流:200 mA
功率耗散:2.2 W
封装 / 箱体:SOIC-8
封装:Tray
最大工作温度:+ 200 C
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
晶体管极性:NPN

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