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Advanced Linear Devices - ALD1121EPAL - MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch - ALD1121EPAL
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ALD1110EPAL
[更多]		 Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ALD1110EPAL
[更多]		 Advanced Linear Devices Inc

MOSFET Dual EPAD(R) Prog

RoHS: Compliant

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无图ALD1121EPAL
Advanced Linear Devices		MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
Rohs

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ALD1121EPAL|Advanced Linear DevicesALD1121EPAL
Advanced Linear Devices		MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
Rohs

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ALD1121EPAL|Advanced Linear Devices
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ALD1121EPAL
制造商型号： ALD1121EPAL
制造商： Advanced Linear Devices
描述： MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Advanced Linear Devices
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:10 V
闸/源击穿电压:+/- 6.6 V
漏极连续电流:3 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）:500 Ohms
配置:Dual
最大工作温度:+ 70 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:PDIP-8
最小工作温度:0 C
功率耗散:600 mW
工厂包装数量:50

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