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Advanced Linear Devices - ALD110900APAL - MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch - ALD110900APAL
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ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP21
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ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch36
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ALD110900APAL
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ALD110900APAL
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

RoHS: Compliant

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MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
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ALD110900APAL|Advanced Linear Devices IncALD110900APAL
Advanced Linear Devices Inc
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
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ALD110900APAL|Advanced Linear Devices IncALD110900APAL
Advanced Linear Devices Inc
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
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Advanced Linear Devices Inc. - ALD110900APAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP

型号:ALD110900APAL
仓库库存编号:1014-1030-ND
别名:1014-1030 <br>

无铅
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ALD110900APAL|Advanced Linear Devices
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ALD110900APAL
制造商型号: ALD110900APAL
制造商: Advanced Linear Devices
描述: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
制造商:Advanced Linear Devices
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:10 V
闸/源击穿电压:10.6 V
漏极连续电流:12 mA
电阻汲极/源极 RDS(导通):500 Ohms
配置:Dual
最大工作温度:+ 70 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:PDIP-8
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.0014 S
最小工作温度:0 C
功率耗散:500 mW
工厂包装数量:50
典型关闭延迟时间:10 ns

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