PDF查询| 数据列表 | ALD212900/A |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | Zero Threshold™ EPAD® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 79mA， 85µA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 14 欧姆 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 10mV @ 20µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 30pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1215 |
