| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| ALD114835PCL [更多] | Advanced Linear Devices Inc | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| ALD114835PCL [更多] | Advanced Linear Devices Inc | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| ALD114835PCL [更多] | Advanced Linear Devices Inc | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| ALD114835PCL | Advanced Linear Devices Inc | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | ALD114835PCL Advanced Linear Devices | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP 型号：ALD114835PCL 仓库库存编号：1014-1059-ND 别名：1014-1059 <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | ALD114835PCL Advanced Linear Devices Inc | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| ALD114835PCL Advanced Linear Devices | MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | ALD114835PCL Advanced Linear Devices Inc | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | ALD114835,935 |
|---|---|
| 产品相片 | DIP16_SOT38-1 PKG |
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | EPAD® Depletion |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | 4 N 沟道，配对 |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12mA， 3mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 540 欧姆 @ 0V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.45V @ 1µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2.5pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 16-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1059 |
