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Advanced Linear Devices Inc - ALD1103SBL - MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC - ALD1103SBL
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ALD1103SBL
库存编号:1014-1009-ND
Advanced Linear Devices Inc MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC38
1起订
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¥62.13
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ALD1103SBL
库存编号:585-ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair118
1起订
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ALD1103SBL
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ALD1103SBL
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET Dual P&N-Ch. Pair

RoHS: Compliant

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ALD1103SBL|Advanced Linear DevicesALD1103SBL
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Advanced Linear Devices Inc. - ALD1103SBL - MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 10.6V 40mA, 16mA 500mW Surface Mount 14-SOIC

型号:ALD1103SBL
仓库库存编号:1014-1009-ND
别名:1014-1009 <br>

无铅
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ALD1103SBL|Advanced Linear Devices Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ALD1103SBL
制造商型号: ALD1103SBL
制造商: Advanced Linear Devices Inc
描述: MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 ALD1103
产品相片 14-SOIC
标准包装  25
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  管件  
FET 类型2 N 和 2 P 沟道(双)配对
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)25mA, 8mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)75 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)10pF @ 5V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装14-SOIC
其它名称1014-1009

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