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ALD1102SAL [更多] | Advanced Linear Devices Inc | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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数据列表 | ALD1102(A,B) |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | 2 P 沟道(双)配对 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 10.6V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 270 欧姆 @ 5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 10µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 10pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其它名称 | 1014-1007 |